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晶体管定义和分类?

归档日期:07-14       文本归类:噪声种类      文章编辑:爱尚语录

  是不是只要是半导体制成的封闭器件都是晶体管?那半导体制成的二级管也是晶体管了?是属于双极型还是场效应管?

  三极管都是双极管吗?我好象原来看到过说三极管也有是结型场效应管的.我一直都想不明白三极管怎么作成场效应管,又怎么能只有多子导电??不知道有没有谁能帮忙解答的~~~谢了!!

  汗...感谢回答的那位兄弟,但是还是没有解答我的疑惑,我再把我问题一一开列下吧~~

  1、半导体二极管是晶体管吗?(也就是说晶体管的范围,我看到有的书上将二极管、三极管、场效应管,只要是半导体制成都算晶体管,而有的则只将半导体三极管算做晶体管.)

  2、结型和绝缘栅型场效应管在结构上有什么区别?(是不是仅仅只是没有了氧化物的栅介质,导致栅极和源、漏极导通这一区别??其他的都一样了?整个结构形态和制成工艺也基本相同?)展开我来答

  可选中1个或多个下面的关键词,搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题。

  展开全部1.场效应管主要有结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。绝缘栅型

  场效应管的衬底(B)与源析(S)连在一起,它的三个极分别为栅极(G)、漏极(D)

  和源极(S)。晶体管分NPN和PNP管,它的三个极分别为基极(b)、集电极(c)、发射

  极(e)。场效应管的G、D、S极与晶体管的b、c、e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和

  结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同,结型管是利用耗尽

  区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流,绝缘栅型场效应管则是用半导

  体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。它们性质的差异使

  结型场效应管往往运用在功放输入级(前级),绝缘栅型场效应管则用在功放末级(输

  2.双极型晶体管内部电流由两种载流子形成,它是利用电流来控制。场效应管是电

  压控制器件,栅极(G)基本上不取电流,而晶体管的基极总要取一定的电流,所以在只

  允许从信号源取极小量电流的情况下,应该选用场效应管。而在允许取一定量电流时,

  3.场效应管是利用多子导电(多子:电子为多数载流子,简称多子),而晶体管是

  既利用多子,又利用少子(空穴为少数载流子,简称少子),由于少子的浓度易受温度

  ,辐射等外界条件的影响,因此在环境变化比较剧烈的条件下,采用场效应管比较合适

  4.功率放大电路是一种弱电系统,具有很高的灵敏度,很容易接受外界和内部一些

  无规则信号的影响,也就是在放大器的输入端短路时,输出端仍有一些无规则的电压或

  电流变化输出,利用示波器或扬声器就可觉察到。这就是功率放大器的噪声或干扰电压

  。噪声所产生的影响常用噪声系数Nf表示,单位为分贝(dB),Nf越小越好,Nf=输入信

  号噪声比/输出信号噪声比,晶体管的噪声来源有三种:⑴热噪声:由于载流子不规则的

  热运动,通过半导体管内的体电阻时而产生;⑵散粒噪声:通常所说的三极管中的电流

  只是一个平均值,实际上通过发射结注入基区的载流子数目,在各个瞬时都不相同,因

  而引起发射极电流或集电极电流有一无规则的流动,产生散粒噪声;⑶颤动噪声:晶体

  管产生颤动噪声的原因现在还不十分清楚,但被设想为载流子在晶体表面的产生和复合

  所引起,因此与半导体材料本身及工艺水平有关。而场效应管的噪声只产生于载流子的

  ??放大器不仅其放大其输入端的噪声,而且,放大器本身也存在噪声,所以其输

  出端的信噪比必然小于输入端信噪比,放大器本身噪声越大,它的输出端信噪比就越小

  于输入端信噪比,Nf就越大,所以在低噪声放大器的前级通常选用场效应管,或者低噪

  5.场效应管的漏、源极可以互换、耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正,可负,灵活性

  比晶体管强。不过在音响功率放大器中,场效应管多以N沟/P沟对管出现,晶体管也以PN

  ??从以上场效应管和晶体管的对比中不难发现,场效应管具有输入阻抗高、噪声

  低、功耗低、热稳定性高、抗辐射能力强等优点,因此场效应管的总体性能上要优于晶

  体管,在许多优秀的功率放大器中,场效应管得到了较为普遍的采用。而采用晶体管的

  功率放大器取得靓声者也同样屡见不鲜。工程师根据两种管子的特性,取其各自的优点

  展开全部英文:VT描述:晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。

  晶体管是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛。

  按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。

  晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。

  晶体管按封装结构可分为金属封装(简称金封)晶体管、塑料封装(简称塑封)晶体管、玻璃壳封装(简称玻封)晶体管、表面封装(片状)晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。

  晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。

  晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

  根据晶体管工作状态的不同,电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。

  1.直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数,是指在静态无变化信号输入时,晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值,一般用hFE或β表示。

  2.交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数,是指在交流状态下,晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值,一般用hfe或β表示。

  hFE或β既有区别又关系密切,两个参数值在低频时较接近,在高频时有一些差异。

  耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。

  耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。

  通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

  晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。

  1.特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时,其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。

  通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管,将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管,将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。

  2.最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。

  通常,高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα,而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。

  集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时,晶体管的β值等参数将发生明显变化,影响其正常工作,甚至还会损坏。

  最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。

  1.集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时,其集电极与发射极之间的最大允许反向电压,一般用VCEO或BVCEO表示。

  2.集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时,其集电极与基极之间的最大允许反向电压,用VCBO或BVCBO表示。

  3.发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时,其发射极与基极与之间的最大允许反向电压,用VEBO或BVEBO表示。

  晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。

  1.集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。

  2.集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也称穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好。

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